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Lecture Series: Technology, Applications and Challenges of Power Semiconductor Devices
2013-10-16

 

Time

Content 

Speaker

Oct.21st, 2013

9:00-9:30

opening ceremony

Representative of CPSS Representative of SMU

9:30-11:30

Lecture 1: The new technology and development trend of power electronic device

Prof. Xu Dehong, Zhejiang University

13:30-16:30

Lecture 2physical Understanding and  basis of power semiconductor devices

2.1 Key device concepts and electrical characteristics

2.2 Challenges in SMART Power Integration

2.3 Basic semiconductor structures of major devices and their comparison based on carrier concentration profiles

2.4 Semiconductor material and conductivity 

2.5 PN- structure, SCR, blocking capability

Doctor Leo LorenzAcademician of DA 

 

Oct.22nd, 2013

8:30-11:30

Lecture ThreeFast switching diode device

3.1 Reverse Blocking Capability

3.2 Build up and remove Electron-Hole-Plasma during turn-on and turn-off intervals

3.3 Dynamic performance of FRED-Diode

3.4 Limits of FRED-Diode and development trend

Doctor Leo LorenzAcademician of DA 

 

13:30-16:30

Lecture Fourapplication of power electronic device in naval architecture and ocean engineering

4.1 power converters for marine energy system

4.2 power converters for ship electric propulsions

Doctor CharpentierThe French navy academy

Oct.23rd, 2013

8:30-11:30

Lecture FiveThe principle and application of GaN devices

5.1 GaN Physics and development history

5.2 Device design & package scheme

5.3 600-V GaN device performance

5.4 GaN boost circuits

5.5 GaN resonant circuits

5.6 GaN bridge circuits

Dr. Yifeng WuTransphorm

13:30-16:30

Lecture Sixpower electronic technology in wind power

6.1 Wind power converter unit

6.2 Offshore wind multiterminal flexible DC

6.3Wind dynamic reactive power support

Prof. Caixu, Shanghai Jiaotong University

Oct. 24th, 2013

8:30-11:30

Lecture 7The concept of unipolar device and Power MOSFET

7.1 Basics of MOS-controlled device

7.2 Power MOSFET cell structure, static and switching behaviour

7.3 Device parasitics and impact on dynamic performance

7.4 Super junction device, characteristics and difference to conventional technologies 

7.5 New development in low voltage power MOSFET and challenges in application

7.6 Device limits, avalanche behaviour and future design criteria

7.7 Driving and protection

Doctor Leo Lorenzacademician of DA 

 

13:30-16:30

Lecture 8High-power power electronic device and its application

8.1IGBT chip technology and improve performance for applications

8.2 The application trend of IGBT in transmission and distribution 

Doctor Chen Ziying, infineon

Oct.25th, 2013

8:30-11:30

Lecture 9Unipolar power devices based on silicon carbide

9.1 SiCschotty diode and electrical performance

9.2 Device limits and benefits in application

9.3 SiC-JEFT and electrical behaviour

9.4 Future development trends

9.5 Ultra fast switching-challenges in Power Converter Systems

Doctor Leo Lorenzacademician of DA 

 

13:30-16:30

Lecture 10The protection of the power electronic devices and heat dissipation

10.1 Semiconductor fuse technology

10.2 The application of busbar in converter

10.3 Power electronic device cooling plate

Mersen

Oct. 26th, 2013

8:30-11:30

Lecture 11 bipolar devices controlled by MOS

11.1Basics of carrier modulated devices

11.2Static and dynamic performance (electron-hole-plasma modulation)

11.3Overload characteristics, short circuit capability and destruction modes

11.4Avalanche characteristics (dynamic evaluation behaviour)

11.5di/dt, dv/dt-limits and physical effect

11.6Driving and protection circuit for low- and high-power devices

11.7 Impact of fast switching to circuit and device parasitics

11.8Thermal management, and loss calculation

Doctor Leo Lorenzacademician of DA 

 

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